Samsung produziert den branchenweit kleinsten DDR5-DRAM in Massenproduktion, gab das Unternehmen am Dienstag bekannt.
Der neue 14-nm-EUV-DDR5-DRAM ist nur 14 Nanometer dick und verfügt über fünf Schichten extremer Ultraviolett-Technologie (EUV). Es kann Geschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde erreichen, was mehr als der doppelten Geschwindigkeit von DDR4 entspricht. Samsung behauptet auch, dass seine neue EUV-Technologie dem DDR5-DRAM die höchste Bitdichte verleiht, während die Produktivität um 20 % gesteigert und der Stromverbrauch um 20 % gesenkt wird.
EUV wird immer wichtiger, da DRAM immer kleiner wird. Es trägt zur Verbesserung der Mustergenauigkeit bei, die für eine höhere Leistung und höhere Erträge erforderlich ist, sagte Samsung. Die extreme Miniaturisierung des 14-nm-DDR5-DRAM war vor der Verwendung der konventionellen Argonfluorid (ArF)-Produktionsmethode nicht möglich, und das Unternehmen hofft, dass seine neue Technologie dazu beitragen wird, den Bedarf an größerer Leistung und Kapazität in Bereichen wie 5G und künstlicher Intelligenz zu decken.
In Zukunft will Samsung einen 24-Gb-14-nm-DRAM-Chip entwickeln, um die Anforderungen globaler IT-Systeme zu erfüllen. Es plant auch, sein 14-nm-DDR5-Portfolio zu erweitern, um Rechenzentren, Supercomputer und Unternehmensserveranwendungen zu unterstützen.
